güç elektroniği devrelerinde çok kullanılan bir yarıilekten anahtarlama elemanıdır..gerilim kontrollü bir elemandır, kapısından akıtılan potansiyel fark ile iletime geçer ve tam kontrollü olduğundan dolayı bu gerilimi kesince, otomatikman kesime gider..
simgesi, normal transistörün çift çizgili olanıdır. anlam olarak yalıtılmış transistör'e gelir. olumlu özelliği normal bjt transistör gibi akım kontrollü değil gerilim kontrollü olmasıdır. (aslında akımı da yine gerilimle kontrol edersiniz de hiç kafanızı karıştırmayalım) bu yüzden kapı - kaynak arası (gate - source) arası uygulanan gerilimle rahatlıkla kontrol edilir. bu da hızlı bir eleman olmasını sağlar. kapıdan içeri ne kadar akım geçtiğine bakmazsınız, artık kullanılan elemanın gücüne göre her şey olabilir ama önemli değil. halbuki normal bir bipolar transistörde (yani bilinen transistör) akım değeri önemlidir, çılgın çılgın akımları akıtmak için deli kaynak harcarsınız. yavaştır. elektronlar bazdan (base) boşalana kadar atı alan üsküdarı geçer, sistem yanar, virüs girer, bilgisayarın elektriğini şebekenin gitmesiyle aynı anda veremez vs vs... ayrıca kayıpları da daha azdır. ama gel gelelim tuzludur. bu yüzden çok büyük ve hassas bir uygulama olmadıktan sonra tercih edilmez.
örneğin bizim formula g'lerin her ikisinde de bir avucunuzu kaplayacak igbtler kullanılmıştır. içlerinden ortalama 100-150 amper akım geçmiştir yerine göre.
mosfet ve güç transistörlerinin bir kombinasyonudur. mosfet’in hızlı anahtarlama özelliğine, güç transistörün yüksek güç kabiliyetine sahiptir ve mosfet gibi gerilim kontrollüdür. 4500 volt ve 1000 amper'e kadar üretilirler. anahtarlama hızları 400 ns - 1000 ns arasındadır. 5 kw - 500 kw arasındaki motor sürücülerinde kullanımları oldukça popülerdir. 6,5 kv’luk igbt'leri piyasada görmemiz ise yakındır.
