germanyum  

simgesi "ge" olan , atom numarası 32 olan , kütle numarası 72.61 olan , periyodik cetvelin 4. periyodunda 4a grubunda bulunan yarı-iletken özellik gösteren element.

yarı iletken özelliğine sahip olan , transistör adlı devre elemanında da kullanılan son derece önemli stratejik öneme sahip olan bir element.

simgesi: ge
grubu: 4a (metal)
atom numarası: 32
bağıl atom kütlesi: 72,61
oda sıcaklığında: katı
erime noktası: 937,4°c
kaynama noktası: 2830°c
yoğunluğu: 5,323 g/cc
keşfi: 1886 - clemens winkler
atom çapı: 1,52 å
elektronegatifliği: 2,01
elektron dizilimi: 1s22s2p63s2p6d104s2p2
yükseltgenme basamağı (sayısı): 4
radyoizotopları: yok

ismi latince almanya anlamına gelen "germania" sözcüğünden türetilmiş element. daha keşfedilmeden önce mendeleev tarafından var olması gerektiği iddia edilen elementtir. keşfedilmesi ile mendeleev'in elementlerin periyodikliği kuramı da büyük ölçüde ispatlanmış oldu.
ayrıca ilk transistörün yapımında kullanılan elementtir.

(bkz: silisyum)

yarı iletken teknolojisinde çeşitli elektronik elemanların** yapımında kullanılan element. tıpkı silisyumda olduğu gibi bor veya fosforla katkılanıp jonksiyon haline getirilerek kullanılır. germanyum, silisyuma nazaran sıcaklıktan daha fazla etkilendiğinden bugün artık elektronik devrelerde özel kullanım alanları dışında tercih edilmemektedir. bu özel kullanım alanlarından birisi de kırpıcı devrelerdir. kırpıcı devrelerde amaç pozitif veya negatif alternanslardan birisini kırpmaktır. yani bir nevi sinüs dalgasının sadece pozitif veya negatif kısmını geçirmektir. örnek vermek gerekirse yalnızca pozitif alternansın geçirildiği bir devrede, negatif alternans esnasında diyot tıkamada olduğundan akım geçmez. pozitif alternans esnasında ise diyot bir direnç elemanı gibi davrandığından üzerinde belli bir miktar gerilim düşümü olur. işte bu gerilim düşümünü en aza indirmek için germanyum diyotlar kullanılır. keza germanyum diyotlarda diyot üzerindeki gerilim düşümü 0.3 volt civarındayken, silisyum diyotlarda bu oran 0.7 volta çıkmaktadır.